Изображение - Anandtech

Уже пару лет топовые смартфоны крупнейших производителей комплектуются процессорами, созданными по 5-нанометровому процессу. Но похоже, что скоро наш ждет прорыв. Компания Samsung накануне в рамках мероприятия Samsung Foundry Forum поделилась подробностями о сроках начала массового производства чипов с перспективными транзисторами GAAFET, а также обозначили, когда можно ожидать внедрения 2-нм технологии производства, передает anandtech. 

Транзисторы GAAFET (Gate-All-Around или транзисторы с круговым затвором) станут одной из ключевых технологий в полупроводниковом производстве по истечении жизненного цикла актуальных транзисторов 3D FinFET. С новыми транзисторами можно будет значительно увеличить производительность процессоров и прочих компонентов при сниженном потреблении энергии. Именно поэтому это важно.

Форум Samsung. Изображение – Anandtech

Samsung ещё в 2019 году заявила о создании прототипа чипа на основе 3-нм GAA-транзисторов. Пару месяцев назад она сообщила о планах запустить массовое производство таких чипов уже в 2022 году. Теперь компания подтвердила свои намерения и уточнила сроки. Старший вице-президент Samsung Foundry по стратегии рынка Мун Су Кан (MoonSoo Kang) представил следующий график производства компонентов на основе технологии GAAFET:

  • производство продукции по технологии 3GAE стартует в конце 2022 года;
  • производство продукции по технологии 3GAP начнётся в конце 2023 года;
  • подготовка к технологии 2GAP займёт ещё 2 года, массовое производство запланировано на 2025 год.

Он также уточнил, что речь идет о планах по производству компонентов — выход потребительских товаров на рынок будет зависеть от клиентов Samsung и их собственных графиков. Исходя из этого, имеет смысл добавить один или два квартала (3–6 месяцев), поэтому продукция на основе 2GAP достигнет потребителя в 2026 году.