Технологія IBM і Samsung покращить автономність смартфонів майже вдвічі
Читайте про бізнес без політики на каналі LIGA.Бізнес
IBM та Samsung розробили новий підхід до випуску мікросхем. Він дозволить підвищити обчислювальну потужність мікросхем удвічі та знизити витрати енергії на 85%.
Підписуйтесь на LIGA.Tech у Facebook: головні новини про технології
Технологія, розроблена IBM та Samsung, названа Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), що перекладається з англійської як вертикальні транспортні польові транзистори. З її допомогою можна створювати компактніші мікросхеми за рахунок того, що транзистори в них розміщуються не так, як прийнято зараз – поруч один з одним (технологія FinFET), а вертикально.
Головна перевага VTFET перед FinFET полягає у можливості виробляти мікросхеми з великою кількістю транзисторів, не збільшуючи розмір чипів. Розробники запевняють, що батареї для мобільних телефонів, створені на основі VTFET, можуть працювати не днями, а тижнями. Користь від впровадження VTFET буде відчутною і для іншої техніки, включно з комунікаціями та транспортом.
Підписуйтесь на LIGA.Tech у Telegram: тільки важливе
IBM створила перші зразки мікросхем VTFET на основі двонанометрового процесора. У чипі розміром із ніготь помістилося 50 млрд транзисторів. Поки що ця технологія вдосконалюється, а перші зразки проходять випробування. Зараз невідомо, коли розпочнеться серійний випуск пристроїв. IBM запевняє, що розробка VTFET – це великий крок уперед до створення транзисторів наступного покоління, які дозволять виробляти потужніші та енергоефективні пристрої найближчими роками.
